MOS型電界効果型トランジスターの動作原理

上図の上は、ＰチャネルのＭＯＳ型電界効果型トランジスター のゲートに電圧をかけていない状態です。
電子を多く含むＮ型半導体の基盤と正孔を多く含むＰ型半導体で作られたソートとドレインの間には空乏層が出来ているために、ソースとドレインの間は絶縁されています。
ところが、ゲートにマイナス電圧を掛けると、上図の下のようにゲートから電子がＮ型半導体の基盤に押しやられ、 その代わりに、基盤の上部に正孔が多くなり、正孔が多いソートとドレインの間を繋げます。この部分をチャネルと呼び、正孔が多いチャネルなのでＰチャネルと呼びます。
チャネルの大きさはゲートに掛けるマイナス電圧の大きさに比例します。また、ソースからドレイン方向、ドレインからソース方向の両方向に電気を流すことが出来ます。
ソースとドレインをＮ型半導体で作り、基盤をＰ型半導体で作っても動作原理は同じです。
ＮチャネルＭＯＳ型電界効果型トランジスター です。

その他、ゲートに電圧を掛けないときにソースとドレイン間を繋げて、電圧を掛けると遮断するようにも作れます。
これを デプレッション型 と呼び、ゲートに電圧を掛けたときに繋がるようにしたものをエンハンスメント型と呼びます。